開關(guān)電源系統(tǒng)進(jìn)入一個(gè)高效率功率變換時(shí)代
開關(guān)電源系統(tǒng)進(jìn)入一個(gè)高效率功率變換時(shí)代
的電子設(shè)備的小型化持續(xù)特定的計(jì)算機(jī),小型的電源需求會(huì),因此開關(guān)電源開始取代笨重頻率變壓器,其特征在于由線性電源,而功率效率顯著提高。24V開關(guān)電源是高頻逆變開關(guān)電源中的一個(gè)種類。什么是24V開關(guān)電源 24V開關(guān)電源就是用通過(guò)電路控制開關(guān)管進(jìn)行高速的導(dǎo)通與截止.將交流電提供給變壓器進(jìn)行變壓轉(zhuǎn)化為高頻率的交流電。12V開關(guān)電源主要檢查300V上的大濾波 電容 、整流橋各 二極管 及開關(guān)管等部位,抗干擾電路出問(wèn)題也會(huì)導(dǎo)致保險(xiǎn)燒、發(fā)黑。需要注意的是:因開關(guān)管擊穿導(dǎo)致保險(xiǎn)燒一般會(huì)把電流檢測(cè) 電阻 和電源控制芯片燒壞。負(fù)溫度系數(shù)熱敏電阻也很容易和保險(xiǎn)一起被燒壞。開關(guān)電源廠家利用現(xiàn)代電力電子技術(shù),控制開關(guān)管開通和關(guān)斷的時(shí)間比率,維持穩(wěn)定輸出電壓的一種電源,開關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制控制IC和MOSFET構(gòu)成。降低電源裝置的體積惡化冷卻能力,這需要的功率消耗變小,即,不改變輸出功率,效率,必須提高。
高效率功率變換:開關(guān)電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)一個(gè)追求的目標(biāo)
同體積電源的功耗基本相同。 因此,為了獲得更大的輸出功率,必須提高效率。 同時(shí),高功率效率可以有效地降低功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)力,提高其可靠性。
開關(guān)電源的損耗主要是無(wú)源元件損耗和有源元件損耗
開關(guān)的開關(guān)電源一直困擾的設(shè)計(jì)者,因?yàn)樵谇袚Q過(guò)程中的損失,有一個(gè)功率半導(dǎo)體器件,而器件的電流,電壓,因此開關(guān)損失不可避免地,如果開關(guān)電源輸出整流二極管開關(guān)和可以實(shí)現(xiàn)零電壓切換或零電流開關(guān),它可以顯著提高效率。
開關(guān)控制過(guò)程可以引起的開關(guān)損耗進(jìn)行大致會(huì)占總輸入輸出功率的5%~10%,大幅度降低或消除學(xué)生這一過(guò)程中損耗可使開關(guān)電源的效率不斷提高5%~10%。最有效的方法是軟開關(guān)信息技術(shù)或零電壓開關(guān)或零電流開關(guān)以及技術(shù)。
在軟切換的許多實(shí)施例中,更實(shí)際的有通常用于控制所述零電壓開關(guān)的相移全橋功率轉(zhuǎn)換器
方式,這種管理控制工作方式發(fā)展要求在初級(jí)側(cè)需附加一續(xù)流電感以確保安全開關(guān)管在零電壓穩(wěn)定狀態(tài)下導(dǎo)通,由于存在較大的有效值電流流過(guò),這個(gè)產(chǎn)品附加電感將發(fā)熱(盡管比RC緩沖系統(tǒng)電路小得多),因而在進(jìn)行低壓功率變換中并不需要采用。
無(wú)源無(wú)損緩沖電路的特點(diǎn)是無(wú)故障PWM常規(guī)控制方式,設(shè)計(jì)/調(diào)試簡(jiǎn)單。 然而,無(wú)源無(wú)損耗緩沖電路和準(zhǔn)諧振/零電壓開關(guān)存在一些缺點(diǎn),如只實(shí)現(xiàn)關(guān)斷軟開關(guān),不適用于反激變換器的大負(fù)載范圍變化。 軟開關(guān)中的有源鉗位是提高單管正向/反激變換器效率的有效方法。 原專利限額現(xiàn)已失效,可廣泛使用。
功率半導(dǎo)體器件: 高效變流技術(shù)的基礎(chǔ)
漸進(jìn)功率半導(dǎo)體裝置,特別是進(jìn)展PowerMOSFET觸發(fā)一系列的漸進(jìn)功率轉(zhuǎn)換:PowerMOSFET快速開關(guān)的開關(guān)電源的開關(guān)頻率的速度從100kHz的增加至20kHz以上雙極晶體管,有效地減少體積無(wú)源能量存儲(chǔ)元件(電感,電容)。 PowerMOSFET低電壓同步整流器現(xiàn)實(shí)低壓,從接通肖特基二極管器件的電壓是大約0.5V,0.1V同步整流器,以減少或甚至更低,從而使低壓整流器的效率提高了至少10% 。傳導(dǎo)高壓PowerMOSFET改善電壓下降的切換特性,提高了初級(jí)的開關(guān)電源的效率。